基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法

摘要

本发明公开了一种基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，属于光电子技术领域，其特征在于，至少包括如下步骤：S1、对晶圆进行脱水烘焙；S2、在晶圆上旋涂HSQ光刻胶后进行前烘；S3、电子束曝光；利用HSQ为负性光刻胶的特性，绘制mark曝光版图，用较少的时间曝光，完成对绘制版图的直写后显影；S4、高温坚膜烘焙；S5、根据需求旋涂后续工艺所需的光刻胶，将后续工艺版图按照步骤S3mark曝光版图建立的坐标系进行版图套刻；对顶层光刻胶进行显影；进行后续蒸镀或刻蚀工艺，并去除顶层光刻胶；S6、使用HF加去离子水或氨水：过氧化氢：去离子水溶液去除HSQ mark。