用于形成分级纤锌矿III族氮化物合金层的方法

摘要

一种用于在第二层上形成包括包含纤锌矿III族氮化物合金的分级纤锌矿III族氮化物合金层的半导体器件的方法。基于半导体器件的预期功能选择针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布。基于所选择的针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布，确定分级纤锌矿III族氮化物合金层的组分‑极化变化率和分级纤锌矿III族氮化物合金层的分级速度。组分‑极化变化率和分级速度均基于纤锌矿III族氮化物合金的第一元素和第二元素的组分。使用所确定的组分‑极化变化率和分级速度，基于分级纤锌矿III族氮化物合金层中距离第二层的当前位置来调整纤锌矿III族氮化物合金的第一III族氮化物元素和第二III族氮化物元素的组分，以在第二层上形成具有所选择的极化掺杂浓度分布的分级纤锌矿III族氮化物合金层。