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一种PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质

摘要

本发明公开了一种PDN阻抗平坦化仿真方法,包括:将去耦合电容模型转化为等效串联RLC电路;通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量;将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点;再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量并依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序;获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值,在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容;依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。本发明还公开了一种装置、设备和介质。本发明提供的PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质可以使PDN阻抗平坦化。

著录项

  • 公开/公告号CN111563356A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州浪潮智能科技有限公司;

    申请/专利号CN202010316030.9

  • 发明设计人 陈政良;

    申请日2020-04-21

  • 分类号G06F30/367(20200101);

  • 代理机构11278 北京连和连知识产权代理有限公司;

  • 代理人张涛

  • 地址 215100 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

  • 入库时间 2023-12-17 11:07:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    公开

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