公开/公告号CN111474456A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 新磊半导体科技(苏州)有限公司;
申请/专利号CN202010288145.1
申请日2020-04-14
分类号G01R31/26(20140101);G01N27/72(20060101);G01R33/07(20060101);
代理机构
代理人
地址 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
入库时间 2023-12-17 11:03:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20200414
实质审查的生效
2020-07-31
公开
公开
机译: 霍尔效应器件,存储器件和霍尔效应器件读出电压增加方法
机译: 霍尔效应非接触式位置传感器提供了霍尔效应电压与到磁性目标的距离之间的直接比例
机译: 霍尔效应电压符号反转的霍尔效应型装置