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一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统

摘要

本发明提供一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统,涉及半导体测试技术领域。该霍尔效应电压确定方法包括:采用范德堡法,在施加失调补偿电压的同时,在测试磁场值和测试激励电流值下获取材料样品的电压数据;根据电压数据,计算获得初始霍尔电压;根据电压数据,计算获得霍尔电压校正值;根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值,确定材料样品的霍尔效应电压。通过获取材料样品的电压数据,并且根据电压数据计算出表示材料样品的失调电压对霍尔效应电压的影响的霍尔电压校正值,再根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值确定材料样品的霍尔效应电压,从而可以大幅降低霍尔测试中失调电压对霍尔效应电压结果的影响,提高所获得的霍尔效应电压的准确度。

著录项

  • 公开/公告号CN111474456A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新磊半导体科技(苏州)有限公司;

    申请/专利号CN202010288145.1

  • 发明设计人 郭帅;冯巍;

    申请日2020-04-14

  • 分类号G01R31/26(20140101);G01N27/72(20060101);G01R33/07(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房

  • 入库时间 2023-12-17 11:03:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20200414

    实质审查的生效

  • 2020-07-31

    公开

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