高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法，该低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料的化学组成通式为：(Pb0.94La0.04)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3，其中，0≤x≤0.5，0≤y≤0.03。本发明通过调控不同的Zr/Sn/Ti比例，并借助流延成型的工艺制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料可以在1100‑1300℃温度范围内烧结，且本发明制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料在室温条件下兼备高相变电场、高击穿电场、高极化强度的特点，并能够具有非常高的储能密度和储能效率，弥补了传统法制备锆酸铅基反铁电陶瓷材料相变电场低、击穿电场低、储能密度低的技术缺陷，拓宽了其在高功率储能材料领域的研发和应用。