公开/公告号CN101971344B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-17
原文格式PDF
申请/专利权人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
申请/专利号CN200980109039.4
申请日2009-06-25
分类号
代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郭放
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2022-08-23 09:11:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-17
授权
授权
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/15 申请日:20090625
实质审查的生效
2011-02-09
公开
公开
机译: 具有静电放电保护的发射放电半导体芯片及其制造方法
机译: 发射辐射的半导体芯片,用于制造多个发射辐射的半导体芯片的方法以及具有发射辐射的半导体芯片的光电组件
机译: 发射辐射的半导体芯片,制造多个发射辐射的半导体芯片的方法以及具有发射辐射的半导体芯片的光电组件