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公开/公告号CN111446358A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学杭州创新研究院;
申请/专利号CN202010441178.5
发明设计人 祝薇;于跃东;邓元;彭康;胡少雄;
申请日2020-05-22
分类号
代理机构北京细软智谷知识产权代理有限责任公司;
代理人宋艳艳
地址 310000 浙江省杭州市滨江区长河街道创慧街18号
入库时间 2023-12-17 10:54:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/34 申请日:20200522
实质审查的生效
2020-07-24
公开
机译: 基于脉冲激光烧蚀制备纳米薄膜溶液的薄膜太阳能电池制备方法
机译: 基于脉冲激光烧蚀的纳米颗粒溶液的生产方法,用于薄膜太阳能电池的生产
机译: 快速热加工制备基于CIS的复合薄膜的方法以及使用CIS制备的薄膜制备的太阳能电池的制备方法
机译:脉冲激光烧蚀与催化化学气相沉积相结合的新型薄膜制备方法:在制备掺Er氢化非晶硅膜中的应用
机译:基于在SrTiO3上通过脉冲激光烧蚀沉积的NdBa2Cu3O7薄膜中的结构和传输各向异性的器件[001]
机译:基于脉冲激光烧蚀的单壁碳纳米管/ PbS量子点纳米杂化物的直接合成,具有强的,光谱宽的和快速的光响应
机译:脉冲激光沉积作为基于硅的场效应传感器的新型薄膜制备方法
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:Femtosecond双脉冲激光烧蚀和共掺杂ZnS薄膜的沉积
机译:脉冲激光烧蚀在氨氧化过程中脉冲激光烧蚀脉冲激光烧蚀的影响
机译:医疗应用高精度短脉冲激光烧蚀系统的最终报告。