脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究

摘要

我们用248nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜.靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100).衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理.原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为3～4nm.X射线衍射(XRD)结果表明ZnSe薄膜(400)峰的半高宽为0.4～0.5°.对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn、Se和2Se组成,并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式.