一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法

摘要

本发明公开了一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法，属于化合物半导体纳米材料制备技术领域。将铅前驱物溶液加热至40℃～70℃，然后快速注入浓度为0.6mol/L～0.8mol/L的硫源或硒源溶液；再缓慢滴加浓度为0.1mol/L～0.2mol/L的硫源或硒源溶液，再加入配体，随后加入反溶剂至溶液变浑浊后离心，沉淀即为有配体包裹的体心四方晶格结构的硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化铅/硒化铅核壳量子点或硒化铅/硫化铅核壳量子点；铅前驱物的物质的量大于加入的硫源或硒源的物质的量之和；整个反应均在保护性气体下进行。本发明最终产物能够有效缓解{100}晶面的暴露情况，避免氧气及水分的入侵，表面缺陷态少，在空气中稳定性好。