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单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列

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一种单光子雪崩二极管SPAD包括有源区(10)，该有源区布置为产生光子触发的雪崩电流。覆盖件(12)布置在有源区(10)上或之上。覆盖件(12)对有源区(10)屏蔽入射光子。覆盖件(12)包括至少第一金属层和第二金属层(13、14)的叠层。金属层(13、14)的至少一个，例如第一金属层(13)，包括孔(15)。金属层(13、14)布置为相对于光轴(OA)在叠层中以沿着光轴(OA)开放有效孔(18)。通过有效孔(18)，有源区(10)的部分(19)暴露于沿着光轴(OA)入射的入射光子。有效孔(18)比布置在第一金属层(13)中的孔(15)小。

著录项

公开/公告号CN111033759A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-17

原文格式PDF
申请/专利权人 AMS有限公司;
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申请/专利号CN201880051712.2
发明设计人格奥尔格·勒雷尔;
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申请日2018-07-26
分类号
代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人谢攀
地址奥地利普伦斯塔滕
入库时间 2023-12-17 10:24:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20180726

实质审查的生效
2020-04-17

公开

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