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球焊用贵金属被覆银线及其制造方法、及使用球焊用贵金属被覆银线的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种贵金属被覆银接合线,其在以接合线将半导体芯片的电极与引线框架等的电极连接的半导体装置中,即使在汽车等严苛的高温高湿条件下亦可抑制接合界面的腐蚀,而避免发生导电不良。本发明的球焊用的贵金属被覆银线,是在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线,其特征为:线材包含至少1种硫族元素,贵金属被覆层的至少1层为钯层,钯相对于线材整体的含量为0.01质量%以上5.0质量%以下,且硫族元素相对于线材整体的含量为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。

著录项

  • 公开/公告号CN111344846A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 田中电子工业株式会社;

    申请/专利号CN201880072388.2

  • 发明设计人 千叶淳;安德优希;川野将太;

    申请日2018-04-19

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人姚亮

  • 地址 日本佐贺县

  • 入库时间 2023-12-17 10:20:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20180419

    实质审查的生效

  • 2020-06-26

    公开

    公开

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