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银纳米线的制造方法以及银纳米线、银纳米线墨及透明导电膜

摘要

课题:在用醇溶剂还原法合成细的银纳米线时,稳定地生成特别是平均长度长、平均长径比大的线。解决方法:银纳米线的制造方法,其具有在溶解有银化合物、有机保护剂的醇溶剂中使银还原析出为线状的工序,其特征在于,使用具有乙烯基吡咯烷酮结构单元的聚合物作为所述有机保护剂,设为使甲基叔丁基醚以0.3~25.0mmol/L的浓度溶解于所述醇溶剂中的状态,在该液体中进行所述还原析出。

著录项

  • 公开/公告号CN111032255A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同和电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201880051092.2

  • 发明设计人 佐藤王高;

    申请日2018-09-20

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人张智慧

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 10:08:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    公开

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