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三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统

摘要

本发明提供一种三维集成电路芯片的贯孔修复方法及修复系统,包括:提供彼此连通的至少两层芯片;芯片之间采用贯孔传输电学信号,同一电学信号对应于至少一贯孔,提供至少一性能良好的冗余贯孔,贯孔、冗余贯孔为硅穿孔、非硅穿孔或采用混合键接方式形成;通过测试模块测试贯孔的连接性能,存储对应的修复信息于存储器;于芯片工作时,存储器基于所述修复信息产生控制信号,并通过逻辑运算,将无传输电学信号并且连接性能良好的冗余贯孔替代连接性能不良的贯孔,传输原电学信号,以实现贯孔修复、降低冗余。

著录项

  • 公开/公告号CN111383908A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格科微电子(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201811629386.7

  • 发明设计人 赵立新;俞大立;黄泽;

    申请日2018-12-29

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

  • 入库时间 2023-12-17 10:08:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-07

    公开

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