法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/046 申请日:20181129
实质审查的生效
2020-06-05
公开
公开
机译: 一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布
机译: 具有mos结构的晶体管器件,其中由于制造误差而减小了输出阻抗的变化;一种晶体管器件的制备方法,以及以此方式形成的CMOS电路
机译: 一种有机电致发光器件的制备方法及有机电致发光器件