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一种CVD金刚石布鲁斯特窗口结构及其制备方法

摘要

本发明涉及光学器件技术领域,且公开了一种CVD金刚石布鲁斯特窗口结构及,包括CVD金刚石,所述CVD金刚石为直径12.7mm,且高度不小于15mm的圆柱体单晶CVD金刚石,所述CVD金刚石的底面为(100)晶面。所述CVD金刚石上切割有布鲁斯特窗口第一平面和布鲁斯特窗口第二平面,所述布鲁斯特窗口第一平面和布鲁斯特窗口第二个平面均为完整的椭圆形,所述布鲁斯特窗口第一平面为沿与底面成65°角的一个平面切割CVD金刚石加工而成,所述布鲁斯特窗口第二个平面为布鲁斯特窗口第一平面沿圆柱体轴线平移2.0mm切割而成,CVD金刚石布鲁斯特窗口制备方法,包括以下步骤:S1:制备CVD金刚石晶体。该CVD金刚石布鲁斯特窗口结构能够承受较大的激光功率密度。

著录项

  • 公开/公告号CN111308583A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖州中芯半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202010256768.0

  • 发明设计人 赵芬霞;刘宏明;

    申请日2020-04-02

  • 分类号G02B1/02(20060101);G02B5/00(20060101);C30B29/04(20060101);C30B25/00(20060101);

  • 代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;

  • 代理人邓凌云

  • 地址 313000 浙江省湖州市吴兴区高新区中横港路33号2号厂房5号

  • 入库时间 2023-12-17 10:03:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-19

    公开

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