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公开/公告号CN111307196A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010203152.7
发明设计人 冉曾令;杜勇;青先国;何正熙;朱加良;何鹏;徐思捷;向美琼;吴茜;陈静;徐涛;
申请日2020-03-20
分类号G01D18/00(20060101);
代理机构51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈选中
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-17 09:59:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G01D18/00 申请日:20200320
实质审查的生效
2020-06-19
公开
机译: 一种制造抗应力消除退火,低铁损晶粒取向硅钢的方法
机译: 提供一种在电工钢中进行抗退火的半加工无取向涂层以提高质量的方法
机译: 一种制造半导体器件的方法,包括产生和退火辐射诱发的晶体缺陷
机译:最大化分布式系统可靠性的任务分配:一种模拟退火方法
机译:通过高温退火(DRIVE)进行探测器的恢复/改进-SLHC中高辐射环境中Si探测器应用的一种新方法
机译:一种基于模拟退火方法的自动标记系统方法
机译:基于模拟退火设计的基于模拟退火的组合方法设计了一种模拟退火的Biplanar MRI梯度系统
机译:一种使用元启发式方法解决批量问题和计划问题的集成方法:遗传算法(GA)和模拟退火(SA)。
机译:通过形成薄的多孔层并随后进行光热退火来纯化硅粉
机译:一种新的分配系统保护方法,考虑使用模拟退火方法的分布式发电单元
机译:用压电光热光谱研究退火对alGaas / Gaas中非辐射载流子复合的影响。