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调整发光二极管的光提取效率的方法

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摘要

本发明涉及一种调整发光二极管的光提取效率的方法，该发光二极管具有表面积S和周长P，该方法的特征在于包括使用具有折射率N的封装层(12)来封装发光二极管的步骤；基于考虑发光二极管的内量子效率IQE的模型确定折射率N；并且利用封装层实现的光提取使得发光二极管能够实现预定的外量子效率EQE

1. 调整发光二极管的光提取效率的方法 [P] . 中国专利： CN111293206A . 2020-06-16
2. 具有改善的光提取效率的发光二极管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN104160519A . 2014-11-19
3. METHOD FOR FORMING A LIGHT SCATTERING LAYER AND A LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT INCLUDING THE LIGHT SCATTERING LAYER, CAPABLE OF IMPROVING LIGHT EXTRACTING EFFICIENCY OF THE LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT [P] . 韩国专利： KR20100131309A . 2010-12-15

机译：形成光散射层和包括光散射层的发光二极管元件的方法，能够提高发光二极管元件的光提取效率
4. METHODS FOR PATTERING PHOTONIC CRYSTALS FOR IMPROVING LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY OF LIGHT-EMITTING DIODES AND LIGHT-EMITTING DIODE PRODUCED USING THE SAME METHOD [P] . 韩国专利： KR101104564B1 . 2012-01-11

机译：图案化光子晶体以提高发光二极管的光提取效率的方法和使用相同方法生产的发光二极管
5. METHODS FOR PATTERING PHOTONIC CRYSTALS FOR IMPROVING LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY OF LIGHT-EMITTING DIODES AND LIGHT-EMITTING DIODE PRODUCED USING THE SAME METHOD [P] . 韩国专利： KR20110081670A . 2011-07-14

机译：图案化光子晶体以提高发光二极管的光提取效率的方法和使用相同方法生产的发光二极管