一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上通过图形化光刻、感应耦合等离子体刻蚀等技术，形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成发光波长分别为580～680nm、480～580nm及380～480nm的红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明极大地简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，且可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。