一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法。所述高电子迁移率晶体管包括：自下而上设置的衬底、ZnO沟道层、MgZnO缓变势垒层、掺杂的势垒层和介电层；以及，在所述ZnO沟道层与所述MgZnO缓变势垒层之间的二维电子气体；位于所述介电层表面的源极和漏极；位于所述源极和漏极之间，并贯穿所述介电层、且底部嵌入所述掺杂的势垒层的栅极。本发明提出了一种基于宽禁带ZnO材料的高电子迁移率晶体管，在大幅减少能源消耗和原料采购成本的同时，还具有较为理想的半导体性能。