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涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控电路结构及调控方法

摘要

本发明公开了一种对高温超导材料中涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控电路结构以及调节方法,电路结构包括调控电路输入端、调控电路输出端、金属线圈、附加电感、附件内阻、可控电容、固定电阻。金属线圈在电路里可等效成线圈电感和线圈电阻。输入端直接连接波频发生器或者通过电磁耦合形式输入连续波频。输出端连接至外加光谱分析仪,用于对调控电路的输出结果进行观察。本发明中绕制线圈的内部空间与样品体积相接近,保证探测具有较高灵敏度。在保证整个振荡回路无击穿的前提下,增大射频场的功率和持续时间,实现对磁通晶格更有效的调控。本发明有效地对高温超导材料中涡旋态磁通晶格进行调控;同时也能灵敏地观测到磁通晶格的运动的调控效果。

著录项

  • 公开/公告号CN111082780A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州大学;

    申请/专利号CN201911326864.1

  • 发明设计人 吴国庆;曹荣幸;曾祥华;

    申请日2019-12-20

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄启兵

  • 地址 225000 江苏省扬州市邗江区四望亭路180号

  • 入库时间 2023-12-17 09:55:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/01 申请日:20191220

    实质审查的生效

  • 2020-04-28

    公开

    公开

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