公开/公告号CN111305038A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏鹏创电力设计有限公司;
申请/专利号CN202010274842.1
申请日2020-04-09
分类号
代理机构江苏圣典律师事务所;
代理人贺翔
地址 210008 江苏省南京市高淳经济开发区秀山路35号1幢
入库时间 2023-12-17 09:42:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):E01D15/12 申请日:20200409
实质审查的生效
2020-06-19
公开
公开
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列