一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法

摘要

本发明公开了一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法，在半导体衬底上形成双层硬掩膜层、光刻堆叠层以及缓冲层，在该缓冲层上旋涂一嵌段共聚物(BCP)层，经退火形成自组装模板图形；然后去除某一嵌段形成光刻图形，并将该图形依次转移到缓冲层、光刻堆叠层以及第二硬掩膜层，在图案化第二硬掩膜层上沉积电介质层后进行平坦化，随后去除第二硬掩膜层，以图案化电介质层为掩膜将图案转移至第一掩膜层和半导体衬底。本发明可以极大地克服现有图形转移过程中因为嵌段共聚物厚度和不同嵌段分子间低的刻蚀选择性导致的定向自组装问题。