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制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统

摘要

本发明公开了制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统。其中,制备区熔用电子级多晶硅的方法包括:(1)将三氯氢硅和氢气供给至反应器中进行第一阶段反应;(2)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅,进行第二阶段反应;(3)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅,进行第三阶段反应,得到区熔用电子级多晶硅。该方法可以产出内应力小、晶粒大小适中且分布均匀的区熔用电子级多晶硅产品。

著录项

  • 公开/公告号CN111302344A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏鑫华半导体材料科技有限公司;

    申请/专利号CN202010120752.7

  • 申请日2020-02-26

  • 分类号

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人肖阳

  • 地址 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

  • 入库时间 2023-12-17 09:25:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/035 申请日:20200226

    实质审查的生效

  • 2020-06-19

    公开

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