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公开/公告号CN111321520A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN202010165551.9
发明设计人 马叙;李岩;丁燕红;
申请日2020-03-11
分类号
代理机构天津耀达律师事务所;
代理人侯力
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2023-12-17 09:21:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-17
实质审查的生效 IPC(主分类):D04H1/728 申请日:20200311
实质审查的生效
2020-06-23
公开
机译: β型聚偏氟乙烯薄膜,β型聚偏氟乙烯薄膜的制造方法以及具有β型聚偏氟乙烯薄膜的压电型传感器
机译: 湿纺丝制备具有改善的压电性能的聚偏氟乙烯压电纤维的方法
机译: 多层聚偏氟乙烯聚合物压电薄膜及其制造方法
机译:静电纺丝法制备压电聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物触觉传感器
机译:使用同轴静电纺丝制造核/壳结构的聚丙烯腈-聚苯并恶嗪纤维作为防污膜
机译:聚环氧乙烷对静电纺丝锂离子电池制备的聚偏氟乙烯聚合物凝胶电解质的离子电导率和电化学性能的影响
机译:利用聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜的振动能增强纤维排水的可过滤性
机译:薄膜聚偏氟乙烯的制备和极化反转动力学
机译:超声处理压电3-羟基丁酸和聚偏氟乙烯聚合物薄膜的抑菌作用
机译:钛酸铅/聚偏氟乙烯-三氟乙烯0-3复合材料的热电和压电性能
机译:尼龙11 /聚(偏氟乙烯)双层薄膜的铁电和压电性能