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一种实现近红外光吸收增强的微纳米阵列结构

摘要

本发明公开了一种实现近红外光吸收增强的微纳米阵列结构,微结构包括微纳米阵列结构的基底、微纳米阵列柱、填充在所述微纳米阵列结构空隙中的填充物。所述微纳米阵列结构的基底为单晶硅,用于作为所述微纳米阵列柱的结构载体;所述微纳米阵列柱为周期分布的硅柱状结构,覆盖于所述基底上,用于增加对光源吸收;所述填充物为金属物和缓冲层,所述填充物设置在所述相邻的微纳米阵列柱的空隙中,因该填充物为金属,在光照下,微结构阵列的局域表面发生等离子体共振效应,从而实现对近红外波段光吸收增强。该微纳米阵列结构从所设计微纳阵列的边长、占空比、高度、填充物等方面进行优化,从而提高该微结构在近红外波段的光吸收效率。该发明在抗反射,隐身,太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN111029421A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安工业大学;

    申请/专利号CN201911279501.7

  • 申请日2019-12-13

  • 分类号

  • 代理机构西安新思维专利商标事务所有限公司;

  • 代理人韩翎

  • 地址 710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

  • 入库时间 2023-12-17 09:12:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0232 申请日:20191213

    实质审查的生效

  • 2020-04-17

    公开

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