公开/公告号CN111162026A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 绍兴华立电子有限公司;
申请/专利号CN201911353419.4
发明设计人 沈方晨;
申请日2019-12-25
分类号
代理机构浙江永鼎律师事务所;
代理人陆永强
地址 312000 浙江省绍兴市袍江工业区洋江东路35号绍兴华立电子有限公司
入库时间 2023-12-17 09:08:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20191225
实质审查的生效
2020-05-15
公开
公开
机译: 一种在保护半导体衬底的前表面的同时蚀刻半导体衬底的后表面的方法
机译: 一种用于太阳能电池的预蚀刻硅片表面的处理方法,包括使硅晶片的预蚀刻表面与碱土金属接触,并在预蚀刻表面上形成子结构
机译: 一种用于处理废胶粉表面的处理装置,包括供给机构,对废胶粉施加微波的表面处理机构和用于冷却处理后的废胶的冷却机构。