首页> 中国专利> 电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法

电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法。所述方法以具有微纳米结构的含铜薄膜材料作为阳极，以含N

1. 电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN111254472B . 2022.02.18
2. 电化学制备叠氮化铜/叠氮化亚铜薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN111254472A . 2020-06-09
3. Improvements in and relating to methods of preventing the formation of copper azide in copper lead azide detonators [P] . 英国专利： GB304144A . 1930-04-14

机译：防止在叠氮化铅铜雷管中形成叠氮化铜的方法的改进及其相关方法
4. METHOD OF PREVENTING THE FORMATION OF CUPROUS AZIDE IN COPPER-LEAD AZIDE-DETONATING CAPS [P] . CA293739A . 1929-10-08

机译：防止铜铅叠氮化爆破帽中叠氮化铜形成的方法
5. PRECURSOR SOLUTION FOR PRODUCING THIN FILM CONTAINING COPPER HALIDE (I) OR PSEUDO COPPER HALIDE (I), METHOD FOR PREPARING PRECURSOR SOLUTION THEREFOR, FILM DEPOSITION METHOD FOR THIN FILM CONTAINING COPPER HALIDE (I) OR PSEUDO COPPER HALIDE (I), AND THIN FILM CONTAINING COPPER HALIDE (I) OR PSEUDO COPPER HALIDE (I) [P] . 日本专利： JP2018076220A . 2018-05-17

机译：用于生产包含卤化铜（I）或伪铜卤化物（I）的薄膜的前体溶液，用于制备包含卤化铜（I）或伪铜薄膜（I）的薄膜的前体溶液的制备方法，膜沉积方法包含卤化铜（I）或伪卤化铜（I）