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生长于泡沫铜表面的二硫化钼修饰碳层包覆氧化亚铜纳米线材料及其制备方法和应用

摘要

本发明提供生长于泡沫铜表面的二硫化钼修饰碳层包覆氧化亚铜纳米线材料及其制备方法和应用,氢氧化钠和过硫酸铵溶解得到混合溶液,将泡沫铜置于混合溶液中水热处理,将上述得到表面生长氢氧化铜纳米线的泡沫铜置于葡萄糖溶液进行退火处理,1T二硫化钼纳米片通过将四水合钼酸铵和硫脲的混合溶液放入反应釜中在烘箱中反应,将退火后泡沫铜利用浸涂法使得1T二硫化钼纳米片均匀分布在碳层包覆的氧化亚铜纳米线表面。泡沫铜原位生长的一维二硫化钼修饰碳层包覆氧化亚铜纳米线分布均匀,具有较大的长径比,可直接用作光电极应用,无需额外添加粘结剂和导电剂。

著录项

  • 公开/公告号CN111118537A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201910669533.1

  • 申请日2019-07-24

  • 分类号

  • 代理机构天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王秀奎

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-12-17 08:55:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25B11/03 申请日:20190724

    实质审查的生效

  • 2020-05-08

    公开

    公开

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