光掩模的光学邻近校正方法及光掩模、半导体的制造方法

摘要

本发明涉及一种光掩模的光学邻近校正方法，包括以下步骤：设置测试图案；对使用所述测试图案进行光刻的晶圆进行采样，获得所述晶圆上的采样图案的测量数据，其中所述采样图案包括二维图形；从所述测量数据中提取出所述采样图案的关键尺寸；从所述测量数据中提取出所述采样图案的轮廓；使用所述关键尺寸和所述轮廓训练光学邻近校正模型，以优化所述光学邻近校正模型；以及使用经训练的光学邻近校正模型对所述光掩模上的掩模图案进行光学邻近校正。根据本发明的方法对一维图形和二维图形都可以获得较好的校正效果。