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公开/公告号CN111217602A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-02
原文格式PDF
申请/专利权人 河南理工大学;
申请/专利号CN202010110661.5
发明设计人 胡保付;孙轲;徐坚;汪舰;刘丙国;杜保立;
申请日2020-02-24
分类号
代理机构
代理人
地址 454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号河南理工大学
入库时间 2023-12-17 08:42:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/462 申请日:20200224
实质审查的生效
2020-06-02
公开
机译: 高介电常数,低介电损耗的陶瓷材料,用作DRAM的电荷存储材料,包含钛酸锶和铌酸铅镁的混合物
机译: 具有高介电常数和低介电损耗特性的铌酸铋电介质组合物
机译: 高介电常数和低介电损耗的铌酸铋双电介质组合物
机译:巨大修饰的SRTIO3无铅陶瓷材料中的巨大介电常数和高绝缘电阻率,具有低介电损耗
机译:高频低介电常数和超低介电损耗的糠醛基苯并恶嗪树脂的简便制备方法
机译:基于(1-Y)的高温电介质[(1-y)[(1-x)Bi0.5na0.5tio3-xbialo(3)] - Ycazro(3)三元系统,具有稳定的介电常数和宽温度范围内的低介电损耗
机译:测量相对介电常数ε'和介电损耗TGδ{Sub}ε的瑞利-Ritz方法作为用于开发各种类型微波电介质技术的仪器
机译:具有高介电常数和低介电损耗特性的聚合物纳米复合材料。
机译:热氧化单晶硅晶片的巨大介电常数和低介电损耗
机译:一种降低高介电常数弹性体中不可避免的介电损耗的简单方法
机译:具有大介电损耗的混合物的宏观介电常数的特性。