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用于纳米厚度SiO2厚度的差分反射光谱测量方法

摘要

本发明涉及一种用于纳米厚度SiO2厚度的差分反射光谱测量方法,包括以下步骤:制备标准样品:制备SiO2层厚为100nm标准样品,对SiO2表面粗糙度Sa值进行检定;确定标准样品的厚度值和光学常数;确定测量装置的透光系数;建立差分光谱测量的多层膜光学模型:将待测样品定义为空气层—SiO2粗糙层—SiO2层—过渡层—Si基底层的多层膜光学模型;建立差分光谱测量的多层膜材料物理模型;获取待测样品SiO2膜层的厚度值:使用差分光谱测量方法获得标准样品和待测样品的差分光谱曲线,利用光谱数据曲线拟合算法对多层膜中各层的厚度进行反演运算,获得SiO2层的厚度值。

著录项

  • 公开/公告号CN111076668A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201911351705.7

  • 申请日2019-12-24

  • 分类号G01B11/06(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人程毓英

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-12-17 08:38:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/06 申请日:20191224

    实质审查的生效

  • 2020-04-28

    公开

    公开

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