单根ZnO微米带F-P模式紫外激光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了单根ZnO微米带F‑P模式紫外激光二极管的制备方法。步骤：清洗石英衬底、玻璃衬底和p‑GaN衬底；在p‑GaN衬底一侧制备Ni/Au合金电极；将p‑GaN衬底与石英衬底紧密贴合，并在石英衬底上制备垫片，保证垫片与p‑GaN衬底紧密贴合和平齐；将n‑ZnO:Ga微米带移置到玻璃衬底上，保证微米带与玻璃衬底贴合，并在微米带两端按压铟电极；在微米带上定向溅射Ag纳米准粒子薄膜；在微米带两端的铟电极上施加电压，Ag纳米准粒子薄膜转化成AgNPs，得到AgNPs@n‑ZnO:Ga微米带复合结构；将微米带复合结构移置于p‑GaN衬底，得到异质结二极管。本发明实现了高品质的F‑P模式紫外激光。