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一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法

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摘要

本发明属于半导体材料及工艺测试领域，公开了一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法。该方法的实施步骤至少包括：S1.利用回旋共振实验测算等效态密度N

1. 一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法 [P] . 中国专利： CN111024745A . 2020-04-17
2. 不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法 [P] . 中国专利： CN101330098A . 2008-12-24
3. Semiconductor component, has isolation area doped for p-conductivity type and exhibiting factor of two higher dopant concentration than semiconductor material of p-conductivity type [P] . 德国专利： DE102006058827A1 . 2008-07-03

机译：半导体元件，具有掺杂为p导电类型的隔离区域，并且呈现出比p导电类型的半导体材料高两个掺杂浓度的系数
4. Schottky diode with specified doping concentration - achieving high-ohmic semiconductor zone on low-ohmic semiconductor zone [P] . 德国专利： DE2950644A1 . 1981-06-19

机译：具有指定掺杂浓度的肖特基二极管-在低欧姆半导体区上实现高欧姆半导体区
5. A method for determining a doping concentration of a three-dimensional structure and a method of manufacturing a semiconductor device using the same [P] . KR102318309B1 . 2021-10-28

机译：一种确定三维结构的掺杂浓度的方法和使用该方法的制造半导体器件的方法