首页> 中国专利> 硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法

硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜,本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜,对制备出的复合薄膜进行硫离子注入,并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理,即得到SNCD‑G复合薄膜,该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口,十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。

著录项

  • 公开/公告号CN111155071A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201911352014.9

  • 发明设计人 胡晓君;蒋梅燕;陈成克;李晓;

    申请日2019-12-25

  • 分类号

  • 代理机构杭州天正专利事务所有限公司;

  • 代理人黄美娟

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

  • 入库时间 2023-12-17 08:25:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/26 申请日:20191225

    实质审查的生效

  • 2020-05-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号