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一种超高介电常数低介电损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法

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摘要

本发明公开了一种超高介电常数低介电损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法，其特征在于，二氧化钛基陶瓷采用热压工艺制备，其名义化学分子式为(Lu

1. 一种超高介电常数低介电损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法 [P] . 中国专利： CN111205085B . 2021.07.27
2. 一种高介电常数与低介电损耗兼备的离子改性二氧化钛陶瓷材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN108530069A . 2018-09-14
3. Process for Preparing PFN Dielectric Ceramics with High Dielectric Constant and Low Dielectric Loss [P] . 韩国专利： KR100310275B1 . 2001-11-09

机译：高介电常数低介电损耗的PFN介电陶瓷的制备方法
4. PROCESS FOR PREPARING PFN DIELECTRIC CERAMICS HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT AND LOW DIELECTRIC LOSS [P] . 韩国专利： KR20000050797A . 2000-08-05

机译：具有高介电常数和低介电损耗的PFN介电陶瓷的制备方法
5. High dielectric constant, low dielectric loss ceramic material, used as a charge storage material for DRAMs, comprises a mixture of strontium titanate and lead-magnesium niobate [P] . 德国专利： DE19837715A1 . 2000-02-24

机译：高介电常数，低介电损耗的陶瓷材料，用作DRAM的电荷存储材料，包含钛酸锶和铌酸铅镁的混合物