公开/公告号CN111021370A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中铁四局集团第五工程有限公司;中铁四局集团有限公司;
申请/专利号CN201911235003.2
申请日2019-12-05
分类号E02D17/06(20060101);E02D17/08(20060101);F16L1/028(20060101);F16L1/06(20060101);
代理机构34115 合肥天明专利事务所(普通合伙);
代理人金凯
地址 332000 江西省九江市青年南路369号
入库时间 2023-12-17 08:13:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-12
实质审查的生效 IPC(主分类):E02D17/06 申请日:20191205
实质审查的生效
2020-04-17
公开
公开
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种利用辉光放电手段对材料结构进行改性的方法以及一种利用辉光放电手段对材料结构进行改性的装置
机译: 一种利用沟槽绝缘结构制造具有自对准浮栅电极的非易失性半导体存储器件的方法