一种高密度细晶粒无择优取向的W靶材及其制造方法

摘要

本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种高密度细晶粒无择优取向的W靶材及其制造方法。所述W靶材，以0.2～0.7μm的W粉为原料，封装在不锈钢或低碳钢包套内，然后通过热等静压烧结成形。热等静压烧结第一阶段，温度从室温升高至1250～1300℃，压力从0MPa升高至180～200MPa，保温保压4～6h，使得W靶坯料相对密度达到94～96％，平均晶粒尺寸10μm以内；热等静压第一阶段后去除表面包套；热等静压烧结第二阶段，继续升温至1900～2000℃，压力继续升高到190～200MPa，保温保压1～2h。最终制备的W靶材相对密度99.5％以上，平均晶粒尺寸小于20μm。