一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法

摘要

本发明公开了一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、半导体层和源漏极层，其中所述半导体层有静电击伤位置，所述方法包括在所述静电击伤位置填补绝缘材料。本发明中，在所述静电击伤位置填补绝缘材料，解决半导体层受静电击伤后，对产品性能的影响，这种修复方式快速、方便、成本低，保证了薄膜晶体管阵列基板功能的正常。