一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法

摘要

本发明公开了一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法，其步骤包括：确定结温控制的目标温度，粗调阶段判断是否有负载的接入或切除来改变高频逆变电路里缓冲电路中电容的大小，以此增加或减少碳化硅功率器件的开关损耗，从而升高或降低碳化硅MOSFET的结温，精调阶段通过采集碳化硅MOSFET当前温度，与目标温度作比较，当大于目标温度时提升碳化硅MOSFET的开通和关断电压，以此降低开关损耗从而降低器件结温，当前温度小于目标温度时降低碳化硅MOSFET的开通和关断电压，以此提升开关损耗从而提升碳化硅MOSFET结温。本发明能够实现单独调整某一个碳化硅MOSFET的结温，并且不会降低整个系统的输出质量，降低了碳化硅MOSFET的热疲劳失效机率。