首页> 中国专利> 具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法

具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法

页面导航

摘要

本文描述的是一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；至少一种季铵氢氧化物化合物；任选地，至少一种链烷醇胺化合物；水混溶性溶剂；选自C

1. 具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法 [P] . 中国专利： CN111197182A . 2020-05-26
2. 图案化硅/二氧化硅部件上污染物去除用的、采用超临界二氧化碳/化学制剂的清洗溶液以及其使用方法 [P] . 中国专利： CN100346887C . 2007.11.07
3. ETCHING SOLUTION HAVING SILICON OXIDE CORROSION INHIBITOR AND METHOD OF USING THE SAME [P] . EP3666852B1 . 2022-01-05

机译：具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法
4. ETCHING SOLUTION HAVING SILICON OXIDE CORROSION INHIBITOR AND METHOD OF USING THE SAME [P] . KR102334924B1 . 2021-12-06

机译：具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法
5. ETCHING SOLUTION HAVING SILICON OXIDE CORROSION INHIBITOR AND METHOD OF USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20200058314A . 2020-05-27

机译：具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法