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在数字线与一级存取装置之间包括二级存取装置的集成式存储器

摘要

本申请案涉及在数字线与一级存取装置之间包括二级存取装置的集成式存储器。一些实施例包含一种具有一级存取晶体管的集成式组合件。所述一级存取晶体管具有第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区当所述一级存取晶体管处于接通模式中时彼此耦合,且当所述一级存取晶体管处于断开模式中时不彼此耦合。电荷存储装置与所述第一源极/漏极区耦合。数字线通过二级存取装置与所述第二源极/漏极区耦合。所述二级存取装置具有接通模式和断开模式。仅当所述一级存取晶体管和所述二级存取装置两者处于其相应接通模式中时,所述数字线与所述电荷存储装置耦合。

著录项

  • 公开/公告号CN110827887A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201910730113.X

  • 发明设计人 S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯;

    申请日2019-08-08

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-12-17 07:47:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/4063 申请日:20190808

    实质审查的生效

  • 2020-02-21

    公开

    公开

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