非对称异型上、下管有源钳位反激变换器

摘要

本发明专利是一种非对称异型上、下管有源钳位反激变换器，上管使用超结功率MOSFET管，下管使用GaN功率管。下管使用GaN功率管，充分发挥开关速度快，关断损耗小的特点；上管使用超结功率MOSFET管，减低成本。同时，由于上管使用更高导通电阻的器件，其寄生电容更小，从而减小原边电流下跌凹坑所产生的损耗。与目前市场上、下管或者同时采用超结功率MOSFET管，或者同时采用氮化镓GaN功率管相比较，本发明专利的整个装置既能充分发挥两种不同器件的特性，保障设备性能优化，又可降低成本。