研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法

摘要

本申请涉及有半导体技术领域，提供了一种研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法，包括：选取衬底步骤，选取多片SOI衬底；衬底预处理步骤，研磨处理所述SOI衬底，并进行抛光处理；诱生缺陷步骤，对所述SOI衬底进行热处理，并冷却；观测缺陷步骤，使用显微镜观察材料表面的缺陷数量及密度。本发明利用SOI材料表面存在的机械损伤在经过热处理后会聚集材料内部的间隙氧形成尺寸较大的OISF缺陷这一原理，无需使用SEM测试机台即可表征SOI材料制备工艺过程中由于研磨工艺带来的机械损伤，提高了便利性，降低了成本。