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公开/公告号CN110959186A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-03
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201880049228.6
发明设计人 金都永;罗郑硕;照健·史蒂文·黎;拉什纳·胡马雍;米卡尔·达内克;
申请日2018-06-05
分类号
代理机构上海胜康律师事务所;
代理人樊英如
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 07:30:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20180605
实质审查的生效
2020-04-03
公开
机译: 在互连金属化中沉积钌层
机译:钌(Ru)薄膜的原子层沉积,使用乙基苯环-环己二烯Ru(0)作为铜金属化的种子层
机译:具有TiN接口的钌原子层沉积,用于铜以外的10纳米以下高级互连
机译:线键合互连的长期高温耐久性测试中阻挡层金属化的有效性
机译:使用新型的基于羰基的钌前驱体和非氧化性反应物进行钌薄膜的低温原子层沉积;在铜金属化种子层上的应用
机译:金属电化学原子层沉积在半导体互连金属化中的应用
机译:通过原子层沉积和化学气相沉积在高纵横比结构中沉积的薄膜的ToF-SIMS 3D分析
机译:高温电子互连的镍铌基扩散阻挡层金属化的电沉积和表征
机译:钌和钌 - 铁合金催化剂在博世工艺中的碳沉积