首页> 中国专利> 一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关

一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关

摘要

本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关,属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成,其中,TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构,RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输,可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。

著录项

  • 公开/公告号CN110943728A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201911333221.X

  • 申请日2019-12-23

  • 分类号

  • 代理机构河北东尚律师事务所;

  • 代理人王文庆

  • 地址 050081 河北省石家庄市中山西路589号中国电子科技集团公司第五十四研究所微系统中心

  • 入库时间 2023-12-17 07:21:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/687 申请日:20191223

    实质审查的生效

  • 2020-03-31

    公开

    公开

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