场终止绝缘栅双极型晶体管中的背侧掺杂激活

摘要

在制造前侧IGBT结构后没有背侧激光掺杂物激活或任何温度超过450℃的工艺的情况下制造的场终止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)提供具有受控制的掺杂浓度的激活注入区。注入区可以通过外延生长或者离子注入和扩散形成在衬底上或衬底中，然后生长N场终止和漂移层以及前侧制造IGBT有源单元。背侧材料去除可以暴露(多个)注入区以与背侧金属电连接。替代地，在前侧制造IGBT有源单元之后，背侧材料去除可以暴露场终止层(或注入区)，并且使用具有良好控制的掺杂浓度的硅靶的溅射可以形成具有良好控制的掺杂浓度的空穴或电子注入区。