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一种具有非对称限制层的VCSEL及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有非对称限制层的VCSEL及其制作方法,VCSEL包括衬底,以及自下而上依次层叠于所述衬底上的N型DBR层、N型限制层、有源区、P型限制层、氧化层和P型DBR层;所述N型限制层包括多层自下而上依次设置的第一AlGaAs层,所述P型限制层包括多层自下而上依次设置的第二AlGaAs层;多层所述第一AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布,多层所述第二AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布,所述N型限制层与所述P型限制层互为非对称结构。电子和空穴被有效限制在有源区,辐射复合高;并且能够改变光场分布,降低光吸收和光散射,提高增益。

著录项

  • 公开/公告号CN110854677A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门乾照半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201911187963.6

  • 申请日2019-11-28

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路267号

  • 入库时间 2023-12-17 07:17:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20191128

    实质审查的生效

  • 2020-02-28

    公开

    公开

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