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具有免受环境背光影响的保护的半导体光检测器器件

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摘要

半导体光检测器器件包括第一导电类型的半导体材料的衬底(1)、相反的第二导电类型的外延层(2)、第一导电类型的其他外延层(3)以及光检测器(4)。该外延层用作对电荷载流子(e

1. 具有免受环境背光影响的保护的半导体光检测器器件 [P] . 中国专利： CN110710000A . 2020-01-17
2. 保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法 [P] . 中国专利： CN1805129A . 2006-07-19
3. Semiconductor device with protection circuit protecting internal circuit from static electricity [P] . 美国专利： US6985340B2 . 2006-01-10

机译：具有保护电路的半导体器件，该保护电路保护内部电路免受静电影响
4. Semiconductor device with protection circuit protecting internal circuit from static electricity [P] . 美国专利： US2004174645A1 . 2004-09-09

机译：具有保护电路的半导体器件，该保护电路保护内部电路免受静电影响
5. Methods for testing semiconductor devices methods for protecting the same from electrostatic discharge events during testing, and methods for fabricating inserts for use in testing semiconductor devices [P] . 美国专利： US7709279B2 . 2010-05-04

机译：测试半导体器件的方法用于保护半导体器件免受测试期间的静电放电影响的方法，以及制造用于测试半导体器件的插入物的方法