一种柔性InP HBT器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构，然后在该InP HBT外延片上完成器件及电路制备，再在临时载片正面旋涂可逆临时键合材料，将完成电路工艺的InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合，对InP衬底背面进行选择性去除直至停止层，在InP HBT外延层背面制作键合材料，将InP HBT外延层背面与柔性衬底进行键合，最后将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性InP HBT器件。