公开/公告号CN110956009A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201811113017.2
申请日2018-09-25
分类号G06F30/367(20200101);G06F30/30(20200101);G06F111/06(20200101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王宝筠
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
入库时间 2023-12-17 07:17:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/367 申请日:20180925
实质审查的生效
2020-04-03
公开
公开
机译: 超低功耗SRAM单元电路,具有用于近阈值和亚阈值操作的电源反馈环路
机译: 具有低反馈功率的超低功耗SRAM单元电路,用于近阈值和亚阈值操作
机译: 具有低反馈功率的超低功耗SRAM单元电路,用于近阈值和亚阈值操作